Please use this identifier to cite or link to this item: https://hdl.handle.net/20.500.11851/2144
Title: Silisyum karbür tek kristalli alttaşın termal dekompozisyon ile yüzey grafitizasyonunda demirin etkisinin araştırılması
Other Titles: The effect of iron on the surface graphitization of single crystalline silicon carbide wafer through thermal decomposition
Authors: Büke, Zarife Göknur
Mercan, Elif
Keywords: Silicon arbide
Decomposition
Graphitization
İron
Silisyum karbür
Dekompozisyon grafitizayson demir
Issue Date: 2017
Publisher: TOBB University of Economics and Technology,Graduate School of Engineering and Science
TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü
Source: Mercan, E. (2017). Silisyum karbür tek kristalli alttaşın termal dekompozisyon ile yüzey grafitizasyonunda demirin etkisinin araştırılması. Ankara: TOBB ETÜ Fen Bilimleri Enstitüsü. [Yayınlanmamış yüksek lisans tezi]
Abstract: Bu çalışmada, tek kristalli silisyum karbür (SiC) alttaşın düşük sıcaklıklarda (1100oC) yüzey grafitizasyonu için bir metot sunulmuştur. SiC'in dekompozisyon sıcaklığını düşürmek için farklı kalınlıklarda Fe ince film elektron demeti yöntemiyle, farklı molaritelerdeki Fe solüsyonları solüsyon tekniğiyle SiC alttaş üzerine uygulanmıştır. Daha sonra numuneler önce hidrojen ortamında, sonrasında vakumda tavlamaya tabi tutulmuştur. Numunelerin, işlem öncesi ve sonrası, yüzey karakterizasyonu, SEM, EDX, XRD, XPS, Raman spektroskopisi gibi çeşitli görüntüleme ve spektroskopi teknikleri kullanılarak yapılmıştır. Katalizör uygulama metodunun ve katalizör kalınlığının etkileri sistematik olarak incelenmiştir. Sonuçlar, Fe'nin düşük sıcaklıklarda SiC yüzey dekompozisyonu için etkili olarak, grafitik yapı oluşumuna imkan sağladığını göstermektedir. Sunulan yaklaşım, özellikle yarı iletken prosesleri için kritik olan grafenin sentez sıcaklığını düşürme konusunda fayda sağlayabilir.
In this study, a method for low temperature (1100oC) surface graphitization of single crystalline silicon carbide (SiC) is developed. In order to decrease the decomposition temperature of SiC, Fe solutions in different molarities and Fe thin films with various thicknesses were applied on SiC substrate by solution technique and electron beam deposition, respectively. After that, samples were first hydrogen and then vacuum annealed. Samples before and after annealing were characterized using various imaging and spectroscopic techniques such as SEM, EDX, XRD, XPS and Raman Spectroscopy. The effects of catalyst application method and the catalyst thicknesses were investigated systematically. The results showed that Fe can be effectively used to extract the silicon atoms from SiC at lower temperatures, resulting in graphitic structure formation. The presented approach may be useful for decreasing the graphene synthesis temperature which is very critical for semiconductor processing.
URI: https://hdl.handle.net/20.500.11851/2144
https://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/tezSorguSonucYeni.jsp
Appears in Collections:Mikro ve Nanoteknoloji Yüksek Lisans Tezleri / Micro- and Nano-Technology Master Theses

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
476664.pdf2.86 MBAdobe PDFThumbnail
View/Open
Show full item record

CORE Recommender

Page view(s)

138
checked on Dec 26, 2022

Download(s)

32
checked on Dec 26, 2022

Google ScholarTM

Check


Items in GCRIS Repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.